第45章 前往半导体研究室，开始研製硅单晶！（4 / 5）
“这里我就不重复说了。”
“接下来，我想说一说现有的工艺上的问题，多晶硅气泡、晶界於错位……”
……
在高纯度硅原料的製备过程中。
工艺缺陷，是制约材料纯度和单晶质量的关键。
它包括化学杂质污染，以及物理结构缺陷。
要解决的话並不复杂。
比如利用定向凝固化，將多晶硅锭缓慢熔化。
再利用杂质分凝效应，使杂质富集在尾部位置，切除后就能提升10倍的纯度。
虽说会导致硅材料损耗率提高。
但是现有条件下，能够让他们提炼出更高纯度硅单晶的最佳方案。
当然，江阳没有將方案完全说出来。
而是给出方向，让半导体研究室的人去进行试验
……
半个小时后。
江阳终於將硅单晶的研製方案，全部说完。
会议室內。
安静得落针可闻。
包括王寿吾等人在內，所有人都目露思索，思索著试验每一个步骤的可行性。
过了足足有10分钟。
王寿吾才终於回过神，“啪啪啪”地鼓起掌来。
清脆的声音。
唤醒了同样沉浸在思考中的其他人。
一时之间，掌声雷动。
眾人一边鼓掌，一边高声道：
“没想到江教授竟然对半导体有这么深的研究！”
“谁说不是呢，原来看到王主任带回来的方案，我还不相信！”
“江教授的指导，为我们照亮了研製硅单晶的前路啊！”
……
过了许久。 ↑返回顶部↑
“接下来，我想说一说现有的工艺上的问题，多晶硅气泡、晶界於错位……”
……
在高纯度硅原料的製备过程中。
工艺缺陷，是制约材料纯度和单晶质量的关键。
它包括化学杂质污染，以及物理结构缺陷。
要解决的话並不复杂。
比如利用定向凝固化，將多晶硅锭缓慢熔化。
再利用杂质分凝效应，使杂质富集在尾部位置，切除后就能提升10倍的纯度。
虽说会导致硅材料损耗率提高。
但是现有条件下，能够让他们提炼出更高纯度硅单晶的最佳方案。
当然，江阳没有將方案完全说出来。
而是给出方向，让半导体研究室的人去进行试验
……
半个小时后。
江阳终於將硅单晶的研製方案，全部说完。
会议室內。
安静得落针可闻。
包括王寿吾等人在內，所有人都目露思索，思索著试验每一个步骤的可行性。
过了足足有10分钟。
王寿吾才终於回过神，“啪啪啪”地鼓起掌来。
清脆的声音。
唤醒了同样沉浸在思考中的其他人。
一时之间，掌声雷动。
眾人一边鼓掌，一边高声道：
“没想到江教授竟然对半导体有这么深的研究！”
“谁说不是呢，原来看到王主任带回来的方案，我还不相信！”
“江教授的指导，为我们照亮了研製硅单晶的前路啊！”
……
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