第59章 为了国家半导体发展去培养人才(求追读!)(1 / 6)

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  客厅內。
  时间一分一秒地过去。
  吴德心和李智俭两人,紧张得大气都不敢出。
  江阳偶尔皱眉时。
  他们的心更是一沉到底。
  ……
  就这样过去10多分钟。
  江阳看完吴德心的稿纸后,
  缓缓道:
  “建立电离杂质散射和晶格振动散射的理论建模,这一步做得不错。”
  “但要考虑到。”
  “在低温下,部分杂质是否有未电离的问题,不能將总掺杂浓度nd直接代入……”
  听著江阳的分析。
  吴德心“唰”地一下直接低下了头。
  但他並没有失落太久,
  很快就调整好心態。
  从隨身的挎包中,掏出纸笔记下江阳所说的问题。
  ……
  接下来。
  轮到李智俭。
  他选择的问题。
  是高电场下的载流子雪崩击穿机制的定量分析。
  实话说。
  这放在国际学界,都是一个难题。
  【写到这里我希望读者记一下我们域名 看书就来 101 看书网,??????????????????.??????超靠谱 】
  首篇硅雪崩二极体专利,都是到了60年,才由贝尔实验室申请。
  想在国內研究。
  基础的雪崩击穿理论,非常难获取不说。
  比较关键的载流子热化效应也尚未完全阐明。
  只依靠简化的模型。 ↑返回顶部↑

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