第2629章 夏黎:哈哈!笑不是因为开心,是真没招了(2 / 3)

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  夏黎想了想,在原本的稿纸上涂涂改改,採用cmos图像传感器技术,也就是后世的互补金属氧化物半导体技术,將感光、数模转换等全部集成在单颗晶片上,取代笨重的摄像管和复杂电路,不但比之前的技术好,还比之前的技术便宜。
  用这种技术可以直接把成本降到40块钱。
  从1500元到7500元,直降到40元的成本,这绝对是质的飞跃。
  不过,以现在华夏的技术,想要造出来这东西,可能倒是有那么一丁点的可能,但是硬体的设备还有些问题。
  首先就是华夏没有超净间。cmos对灰尘的容忍度比双极性更苛刻。一颗尘粒落在柵氧生长区,就等於一个针孔漏电,等於晶片废掉。
  这意味著哪怕流程设计对了,良品率也是灾难级的。
  不是“做不出”,是“做一百颗坏九十九颗”。
  成本简直高到飞起。
  第二是晶片欠缺问题。
  目前国內倒是有光刻机,不过就那么一台可以用的光刻机,不可能拿来给他们用来做好几十万个晶片,人家华科医院那边的科研人员还得干別的呢。
  而且就冲他们那宝贝光刻机的模样,肯定怕他们把东西用坏,不肯让他们做几十万个晶片。
  第三是硅材料的纯度不够,cmos柵氧厚度只有几百埃,任何微量金属污染就等於漏电流暴走。
  国產直拉cz硅当前纯度勉强够双极性/nmos实验,用於高质量cmos需要的超低氧、超低金属杂质、无位错单晶,根本拉不出合格的大直径单晶棒。
  第四点是:cmos需要精確控制p-well掺杂剖面。理想做法是用离子注入机,能量和剂量可控。
  华夏有少量仿製和进口的离子注入机,但有巴统协议在,想也知道,外国人给华夏的都是落后的產品。
  束流均匀性、剂量精度、晶圆级自动化远不够量產。
  靠传统热扩散凑合的话,横向扩散不可控,直接导致沟道长度一致性崩掉,最终致使vt分布宽得像撒胡椒麵。
  画麵糊成那样还监控什么?一点意义都没有。
  这是目前能降低成本的最大头,也是不想花钱就必须克服的地方。
  夏黎又在图纸上圈了另外一个位置,將原本的耗材一栏,改写成sd卡或硬碟。
  目前记录影像的方案是,使用一台昂贵的时延录像机和大量耗材录像带。
  可这种方案后期可能不用消耗太大,但首年的消耗大约是5.6万元。
  而他们现在恰恰最缺的就是第一年的钱。
  夏黎想了想,在后面標註:数字压缩与快闪记忆体技术用h.264等算法將视频数据量压缩上百倍,存储在指甲盖大小的廉价sd卡或硬碟上。
  能做出来的前提下,这种成本大约只有40元左右。
  听著挺好的,五六万元直降到40块钱,还是后世大家都听过,甚至是花十几二十块就唾手可得的 sd 卡。
  可这玩意的技术难题比之前的还要大。
  sd卡 = nand快闪记忆体晶片 + 控制器晶片 + 微小封装 + 標准化接口协议。
  目前这4种技术华夏一个都没有。
  如今是1980年末,別说是华夏了,就算是世界上,flash memory这种技术都压根还不存在。 ↑返回顶部↑

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