第205章 与东晶的会面(3 / 3)

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  相比於cpu、內存这些需要不断追赶先进位程的通用晶片,功率半导体的製程要求確实没那么高,技术门槛相对较低。
  更重要的是,这块市场在国內几乎是空白,完全被国外厂商垄断。
  雷霆半导体选择这个赛道切入,確实是一步妙棋。
  “马总,其实我们华晶,跟功率半导体也算有些渊源。”
  东晶的总工程师王洪鑫扶了扶眼镜,打开了话匣子。
  “早在六十年代末,我们厂的前身,就曾经生產过mosfet电晶体。”
  “只是后来,考虑到当时国內的需求,我们的研发方向转向了用途更广泛的mcu(微控制器单元),没有继续在功率器件上深入。”
  王洪鑫解释道,igbt可以看作是mosfet和双极电晶体的结合体。
  它既有mosfet驱动简单、开关速度快的优点,又具备双极电晶体导通压降低、可承受大电流的特性,特別適合用在高电压、大功率的场合,比如马宇腾心心念念的新能源汽车。
  而mosfet,则更多用於开关电源、变频器等需要高频开关的领域。
  “虽然方向不同,但很多底层的生產工艺,还是有相通之处的。”
  话虽如此,当马宇腾提出希望华晶能为“雷芯g1”进行流片和代工时,对方还是露出了为难的神色。 ↑返回顶部↑

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