第86章 硅电晶体实验成功！（3 / 5）
江阳过来的时候，里面已经在进行实验。
几个阻力研究员。
正操作碳化硅切割机，切割著厚晶圆。
而王寿吾、黄琨和林嵐因三人，站在一起討论。
看到他后。
王寿吾迎上前，道：
“江教授，您来的正好。”
“我们刚刚试了一次，切割精度还算可以。”
“但拋光后的损伤层>20微米，可能会影响后面的质量，所以在商量怎么改进。”
江阳頜首道：
“那就延长化学腐蚀补偿吧。”
王寿吾笑道：
“巧了，我们也是这么想的。”
他说完后。
便立刻转过身，让人照做。
瞩附完后，又回来和江阳继续討论。
硅电晶体製造的流程很长。
从单晶切割、机械拋光、化学清洗。
到干氧氧化、光刻与图形化，掺杂pn结。
每个步骤。
都要上数个小时的功夫。
而且整个过程。
並不是一帆风顺。
比如掺杂pn结时，没有离子注入机，开关扩散掺杂浓度波动有土30%。
这个数字，显然是不能接受的。
因此必须通过经验修正。
当然，江阳他们现在没有经验，所以足足失败了好几次。
才勉强得到一个理想的数据，继续进行试验。
不过这时候。
一天的时间，也就这么过去了。 ↑返回顶部↑
几个阻力研究员。
正操作碳化硅切割机，切割著厚晶圆。
而王寿吾、黄琨和林嵐因三人，站在一起討论。
看到他后。
王寿吾迎上前，道：
“江教授，您来的正好。”
“我们刚刚试了一次，切割精度还算可以。”
“但拋光后的损伤层>20微米，可能会影响后面的质量，所以在商量怎么改进。”
江阳頜首道：
“那就延长化学腐蚀补偿吧。”
王寿吾笑道：
“巧了，我们也是这么想的。”
他说完后。
便立刻转过身，让人照做。
瞩附完后，又回来和江阳继续討论。
硅电晶体製造的流程很长。
从单晶切割、机械拋光、化学清洗。
到干氧氧化、光刻与图形化，掺杂pn结。
每个步骤。
都要上数个小时的功夫。
而且整个过程。
並不是一帆风顺。
比如掺杂pn结时，没有离子注入机，开关扩散掺杂浓度波动有土30%。
这个数字，显然是不能接受的。
因此必须通过经验修正。
当然，江阳他们现在没有经验，所以足足失败了好几次。
才勉强得到一个理想的数据，继续进行试验。
不过这时候。
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